Synthesemethode op hoge temperatuur voor het produceren van siliciumcarbide
Siliciumcarbide-processtroom: ultrahoge temperatuuromgeving: verwarming tot meer dan 2500 graden via plasma of boog om onmiddellijke reactie te bereiken. Snelle synthese: de reactietijd wordt ingekort tot enkele uren en hoge zuivere SIC wordt direct gegenereerd.
Voordelen: het product heeft een hoge zuiverheid (＞ 99,9%) en een uitstekende kristalstructuur.
Er zijn geen tussenproducten, die geschikt zijn voor de bereiding van nano-schaal sic. Nadelen: dure apparatuur en extreem hoog energieverbruik. De technologie is moeilijk en moeilijk op grote schaal toe te passen. Toepassing: hoogwaardige velden zoals halfgeleiders en optische coatings. Andere processen: chemische dampafzetting (CVD): gebruikt voor dunne film of single crystal sic, de kosten zijn extreem hoog. Sol-gelmethode: geschikt voor kleine partijen nano-SIC in het laboratorium, en industrialisatie is moeilijk.
Siliconen carbide -parameters
|
Handelsmerk |
Zhenan |
|
Product |
Siliciumcarbide |
| Deeltjesgrootte | Schurend |
| Vuurvaste maat | 0-1 mm 0-10 mm 0-100 mm |
Hoe u bestelling kunt plaatsen
A: Koper Verzenden Invraag → Krijg Silicon Carbide -offerte → Bevestiging bestelbevestiging → Koper regelen 30% Storting → Productie Start bij ontvangst van deposito → Strikte inspectie tijdens de productie → Koper rangschikken Betaling → Verpakking → Levering volgens handelsvoorwaarden volgens handelsvoorwaarden volgens handelsvoorwaarden volgens de handelsvoorwaarden volgens
Populaire tags: Siliciumcarbide/Emery van hoge kwaliteit, China hoge kwaliteit siliciumcarbide/emery fabrikanten, leveranciers, fabriek