Fysische eigenschappen van siliciumcarbide
Siliciumcarbide is na diamant en boorcarbide een van de hardste industriële materialen, en de sterke covalente binding zorgt ervoor dat het uitstekende mechanische en thermische prestaties levert. De Mohs-hardheid is ongeveer 9,0 tot 9,5, de dichtheid is 3,1 tot 3,3 g per kubieke centimeter, de ontledingstemperatuur ligt boven ongeveer 2700 graden C, de thermische geleidbaarheid is ongeveer 120 tot 270 W per meter per Kelvin, afhankelijk van het kristaltype en de zuiverheid, de thermische uitzetting is laag met uitstekende thermische schokbestendigheid, en het elektrische gedrag is halfgeleidend, variërend met zuiverheid, kristalstructuur en temperatuur.
Hoge hardheid en slijtvastheid
De Mohs-hardheid van ongeveer 9,0 tot 9,5 maakt SiC geschikt voor slijpstenen, snijslijpmiddelen, slijtvaste componenten en keramische technische onderdelen, waardoor de prestaties onder zware mechanische slijtage behouden blijven.
Hoge-temperatuurstabiliteit
SiC handhaaft structurele stabiliteit onder extreem hoge temperaturen met een ontledingstemperatuur boven 2700 graden C, uitstekende thermische schokbestendigheid en een lage thermische uitzettingscoëfficiënt. Deze eigenschappen maken het geschikt voor ovenonderdelen, ovenmeubilair en vuurvaste producten op hoge temperatuur. Hoge thermische geleidbaarheid verbetert de warmteoverdrachtsefficiëntie, temperatuuruniformiteit en thermische beheerprestaties.
Chemische eigenschappen en oxidatiegedrag
Siliciumcarbide heeft een uitstekende chemische stabiliteit en is over het algemeen bestand tegen zoutzuur, zwavelzuur en vele corrosieve omgevingen, met goede weerstand tegen alkalische omgevingen bij normale temperaturen. Bij blootstelling aan zuurstof bij hoge temperaturen ondergaat SiC twee oxidatiefasen: actieve oxidatie bij ongeveer 600 tot 900 graden C vormt gasvormige producten, terwijl passieve oxidatie boven ongeveer 1000 graden C een beschermende siliciumdioxidelaag op het oppervlak vormt die verdere oxidatie vertraagt en de duurzaamheid bij hoge temperaturen verbetert.
Metallurgische reactiviteit en typeverschillen
Bij staalproductie- en gieterijtoepassingen fungeert SiC als een gecombineerde silicium- en koolstofbron voor siliciumtoevoeging, koolstofaanpassing, ondersteuning voor deoxidatie en verbeterde metaalreinheid. Green SiC biedt een hogere zuiverheid en hardheid voor precisieschuurmiddelen en geavanceerde keramiek; zwart SiC biedt taaiheid en kosteneffectiviteit voor de metallurgie, vuurvaste materialen en algemene schuurmiddelen; fijn poeder verbetert het sintergedrag; en metallurgisch SiC dient voor de staalproductie en het carboneren. De zuiverheidseisen variëren van 85 tot 99 procent voor de staalproductie, gemiddeld tot hoog voor vuurvaste materialen, hoog voor schuurmiddelen en ultra-hoog, doorgaans 99,99 procent of meer, voor halfgeleiders.
Veelgestelde vragen
Vraag: Wat is de hardheid van siliciumcarbide?
A: Ongeveer 9,0 tot 9,5 Mohs, een van de hardste industriële materialen.
Vraag: Smelt siliciumcarbide?
A: Bij atmosferische druk smelt het niet normaal; het ontleedt boven ongeveer 2700 graden C.
Vraag: Wat is de thermische geleidbaarheid?
A: Ongeveer 120 tot 270 W per meter per Kelvin, afhankelijk van type en zuiverheid.
Vraag: Hoe is SiC bestand tegen oxidatie?
A: Boven ongeveer 1000 graden C vormt zich een beschermende SiO2-laag die verdere oxidatie vertraagt.
Vraag: Wat doet SiC bij de staalproductie?
A: Het levert silicium en koolstof voor deoxidatie, carbonisatie en behandeling van gesmolten metaal.
Vraag: Welke zuiverheid is vereist voor halfgeleiders?
A: Elektronische kwaliteit met ultra-hoge- zuiverheid, doorgaans 99,99 procent of meer.
Voor offertes van siliciumcarbide in verschillende kwaliteiten en vormen,neem dan contact op met ons verkoopteam.